ファブの現場では、フォトレジストを加熱する際に0.5℃の温度変動があっただけで、重要な寸法がナノメートル単位で変わってしまいます。不良品が1つでも出れば、そのロット全体を廃棄しなければなりません。私たちは、この現実に基づいて国際規格に準拠した産業用ヒーターを開発しました。つまり、ソフトベイク、ハードベイク、露光後のベイクといった各工程においても、ウェーハ全体の温度を±0.1℃以内に抑えることができるのです。
技術的に重要な点 核心は、半導体の熱管理に適した、クリーンルーム対応のヒーターです。ハロゲン式やNIR方式のヒーターは、熱を直接フォトレジストや基板に伝えるため、迅速に温度を上げられ、循環時間を短縮できます。また、ウェーハ全体の温度が安定しているため、線幅の制御も規定値内に保たれます。
粒子の発生を防ぐために、低ガス放出性の素材と密封構造が採用されており、クラス1～100のクリーンルーム環境に適しています。これらの装置は24時間365日稼働し、計画外の停止はありません。また、保守間隔も長くなるため、予備部品の必要量やメンテナンスコストも削減されます。
リソグラフィーにおける利点 リソグラフィーの工程では、加熱温度の安定性が、再作業の減少や初回成功率の向上に直結します。ヒーターが迅速に所定温度に到達し、その温度を維持できるため、エネルギー消費も削減され、ウェーハ1枚あたりのコストも下がります。
また、既存の装置やコーターともシームレスに連携できるため、追加の統合リスクもありません。さらに、同じ熱管理プラットフォームを複数のベイクステーションで利用できるため、予備部品の管理も簡単になります。
注意すべき点 ヒーターをチャンバーの形状や空気流れに合わせることは不可欠です。わずかなミスでも、ウェーハの端部分で温度の偏りが生じる可能性があります。そのため、実際の負荷やクリーンルームの空気流れに合わせて、PIDやシールド機能を調整するためのテスト運転を行う必要があります。
また、出力電圧や接続タイプも、装置の仕様に合わせて事前に指定しておく必要があります。これを間違えると、予算外の再作業が発生することになります。